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IGBT和超级市场结型场效应晶体管

市场研究IGBT和超级结型场效应晶体管:应用于不间断电源系统和电动汽车触发IGBT和超级结MOSFET销售!

IGBT和超级结MOSFET市场产品类型(IGBT, SJMOSFET), IGBT段预计将扩大17.1% CAGR在2023年和2033年之间。

IGBT和超级结MOSFET市场前景(2023年至2033年)

全球IGBT和超级结MOSFET市场规模达到40亿美元在2022年。IGBT和超级结MOSFET总销量将会上升17.2%的复合年增长率到2033年。

总IGBT和超级结MOSFET市值将总193亿美元到2033年。需求仍然特别高的IGBT由于其广泛的应用。IGBT段预计将扩大17.1%的复合年增长率在2023年和2033年之间。

越来越多的应用于UPS、风力发电机和光伏逆变器或太阳能逆变器驱动市场。除此之外,越来越多的使用在电动汽车充电器、和照明将提高IGBT和超级结销售。

  • 蓬勃发展对自动化开关设备的需求和模块提高IGBT和超级结MOSFET销售
  • 重点转向风能和太阳能等可再生能源资源将提升需求
  • 增加绿色行动抑制功率损耗将预示着市场
  • 越来越重要的电气设备和机械将促进市场发展
  • 快速转向电动汽车提升IGBT和超级结MOSFET的需求

IGBT、MOSFET是两个最受欢迎的类型的晶体管。这些晶体管压控设备。他们已经成为现代电子电路的基本构建块。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一个3-terminal半导体器件主要用于切换和在一些电子电路的信号进行放大。IGBT结合了高效和快速的切换。

igbt提供混合双极型晶体管和场效应管的优势。这是归因于能力提供高压驱动和高输入阻抗。

另一方面,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一个4-terminal半导体开关装置用于电子电路开关和放大信号。

IGBT和超级结型场效应晶体管都是广泛应用于消费电子、能源行业和工业技术。超级结型场效应管已成为高压开关转换器的行业规范。这是因为他们允许更有效的开关在任何给定的频率。

消费电子产品的需求增加,ups,充电器等有望提振全球IGBT和SJMOSFET市场。这是由于使用这些产品的高效的晶体管。

不断上升的关注更高的能源效率将发挥关键作用推动IGBT和SJMOSFET需求。随后,增加电力系统需求高能源效率将预示着市场。

快速转向可再生能源将提高IGBT和超级MOSFET销量到2033年。与不断上涨的能源问题,据估计,光伏逆变器等设备或太阳能逆变器的需求将大幅上升。这将为IGBT创造有利可图的增长机会和超级结MOSFET制造商。

另一个关键因素将燃料IGBT和超级结MOSFET销售电动及混合动力汽车的发展和普及。

电气化的车辆产生巨大的电力需求半导体。按照国际能源署(IEA),有大约1650万电动汽车在世界的道路在2021年底。因此,电动汽车的生产和销售的上升最终将创造市场的增长前景。

目前,估值的14.3亿美元北美在全球IGBT和SJMOSFET市场上占据主导地位。到2033年,北美市场价值69.7亿美元

属性

关键的见解

IGBT和超级结型场效应晶体管(2023)市场估计价值

40亿美元

预计市场价值(2033)

193亿美元

价值取向的CAGR(2023年至2033年)

17.2%

美国市场的复合年增长率(2023年至2033年)

15.9%

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2018年到2022年全球IGBT和超级结MOSFET销售前景相比,需求预测从2023年到2033年

根据持久性市场研究(PMR新利体育客户端), IGBT和超级结MOSFET销售增加21.0%2018年到2022年之间的复合年增长率。在未来十年,全球市场将扩大17.2%的复合年增长率。到2033年,市场预计将创建一个绝对的机会153亿美元

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)用于应用程序如UPS、风力涡轮机、消费应用,光伏逆变器,电动汽车/亨德拉病毒。

在不间断电源(UPS),一个IGBT规格1200 v / 100功率MOSFET的导通电阻,是为拥有相同的规格。GTR的开关时间也差不多类似的规范。

由于这些优势,igbt广泛应用于ups。此外,由于高电压和大电流等特点,igbt作为开关设备感应炊具和电机驱动系统。因为这类设备的应用程序,igbt需求预计将增长迅速在未来十年。

超级结型场效应管主要用于电池充电程序。例如,英飞凌科技发展CoolMOS P7 super-junction MOSFET (SJ)。是嵌入在ICC80QSG用于电力设计,可以在130 w输出工作。

这些SJMOSFETs用于高功率电子设计。同时,他们的应用程序电动汽车充电器。它们也可以用于太阳能许多独立、照明和适配器。

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无论是见解:

美国将继续主导全球IGBT和结MOSFET市场?

美国IGBT和超级结MOSFET市场将实现的估价54亿美元到2033年。整体IGBT和结MOSFET销售预计将上升15.9%的复合年增长率。这将创建一个绝对的机会4.2美元十亿到2033年。

IGBT和超级结MOSFET在美国增长的需求19.3%的复合年增长率从2018年到2022年。消费者/家用电器采用上升推动美国市场是一个关键因素。

在风能项目增加投资和不断上升的关注更高的能源效率将会推动IGBT和超级结MOSFET的需求。

除此之外,大领导面前IGBT和超级结MOSFET制造商正在帮助扩大美国市场。各种美国境内公司正在开发先进的解决方案,以满足最终用户的需求。

例如,2022年2月,威世半导体公司美国俄半导体制造公司推出了一个超级结型场效应晶体管。新产品提供效率高,可用于电信和服务器。它被命名为SIHK045N60E

使英国的IGBT和超级结MOSFET市场?

英国IGBT和SJMOSFET市场将总10亿美元到2033年。igbt和超级结型场效应管的销售在这个国家将激增16.2%的复合年增长率

在2018年至2022年之间,英国市场扩张19.6%的复合年增长率。然而,在接下来的十年里,市场将创建一个绝对的机会7.521亿美元

快速渗透的电气化汽车工业和高对逆变器的需求是推动英国市场的关键因素。随后,高的领先企业提供先进的解决方案将提振市场。

泛内尔英国曼联Kingdom-based电子元器件供应商供应IGBT模块和SJMOSFETs全球。这种联合Kingdom-based公司支持市场的扩张。

为什么IGBT和SJMOSFET需求迅速增长在日本吗?

IGBT和超级结MOSFET在日本的需求将上升16.5%的复合年增长率到2033年。PMR预测总体日本IGBT和超级结MOSFET市场总量15亿美元到2033年。

日本市场可能会创建一个绝对的机会12亿美元到2033年。历史上,日本的市场扩张20.1%的复合年增长率从2018年到2022年。不断上升的电动汽车生产和销售预计将提高IGBT和超级结MOSFET在日本的需求。

几个日本IGBT和超级结MOSFET公司引入新颖的产品,以满足最终用户的需求。例如,2021年3月,东芝公司领先日本半导体制造商推出超级结型场效应管叫TK090U65Z TK190U, TK155U65Z。

新mosfet DTMOSVI产品系列的一部分。他们预计将用于应用程序,如光伏发电护发素,数据中心,在众多的工业应用。

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这是市场上最受欢迎的产品类型吗?

根据持久性市场研究,IGB新利体育客户端T仍然是非常受欢迎的产品类型。目标段将在上升17.1%的复合年增长率在预测期内。在2018年至2022年之间,IGBT需求增长20.9%的复合年增长率。

增加使用igbt作为逆变电路开关设备驱动小型到大型汽车是推动经济增长的目标。

igbt是用于冰箱、空调和其他设备。这些设备生产和销售上升将提高IGBT销量到2033年。

这是IGBT和超级结MOSFET的高级应用程序吗?

采用igbt和超级结型场效应管在ups和风力涡轮机仍然很高。这两个部门将共同持有著名的市场份额到2033年。

上升的采用UPS在工业、商业和住宅领域将提高IGBT和超级结MOSFET的需求。同样,增加投资风能将提高IGBT和超级结MOSFET的销售。

领先企业引入特定于应用程序的产品来增加他们的份额。例如,富士电气有限公司、日本电气设备公司生产igbt在转换中使用AC / DC转换器等电路。

谢赫扎伊德

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竞争格局:

IGBT的主要制造商和超级结型场效应晶体管包括东芝公司、三菱电机公司,Semikron Elektronik GmbH & Co .公斤,意法半导体n.v.富士电气、。有限公司,威世半导体公司,日立电力半导体器件有限公司Onsemi, ABB英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)股价有限公司

投资于研发和新产品发布关键策略采用领先的公司。除此之外,并购、合作伙伴和协作是很常见的在这个市场空间。

最近的进展:

  • 2021年2月,一个650 V CoolSiC混合IGBT组合在一个离散的包被发起英飞凌科技公司。
  • 2020年11月,富士电气有限公司日本电器公司生产IGBT、mosfet宣布它已经开始大规模生产高功率下的核心,配备了X系列的IGBT模块。预计这些igbt在铁路运输中使用节能。
  • 英飞凌科技,2022年12月德国半导体制造公司宣布完成了项目生产IGBT功率晶体管工作在1700 v 300毫米硅晶圆。项目被评为Power2Power和项目的成本是8063万美元。
  • 2022年11月,英飞凌科技,领先德国半导体制造公司开发出一种单一的IGBT功率模块1500 V逆变器。产品的名称EasyPACK 4 b

报告的范围:

属性

细节

估计市场规模(2023)

40亿美元

预计市场规模(2033)

193亿美元

预期增长率(2023年至2033年)

17.2%的复合年增长率

预测期

2023年到2033年

历史数据用于

2018年到2022年

市场分析

  • 百万美元的价值
  • 太的体积

关键区域覆盖

  • 北美
  • 拉丁美洲
  • 欧洲
  • 亚太地区
  • 中东和非洲

主要国家覆盖

  • 美国
  • 加拿大
  • 巴西
  • 墨西哥
  • 德国
  • 联合王国
  • 法国
  • 意大利
  • 西班牙
  • 北欧
  • 俄罗斯
  • 波兰
  • 中国
  • 印度
  • 泰国
  • 印尼
  • 澳大利亚和新西兰
  • 日本
  • 海湾合作委员会国家
  • 北非
  • 南非
  • 其他人

关键部分覆盖

  • 产品类型
  • 应用程序
  • 地区

关键的公司介绍

  • 英飞凌科技公司
  • 威世半导体有限公司
  • 三菱电机公司
  • 意法半导体喷嘴速度
  • 富士电气有限公司
  • 东芝公司
  • 日立电力半导体器件有限公司
  • Onsemi
  • Semikron Elektronik GmbH & Co .公斤
  • ABB公司

报告覆盖

  • 市场预测
  • 公司市场份额分析
  • 竞争情报
  • 司机限制机会趋势分析
  • 市场动态和挑战
  • 战略增长计划

全球IGBT和超级结MOSFET市场细分:

产品类型:

  • IGBT
    • 离散IGBT
    • IGBT模块
  • SJMOSFET
    • 离散超结型场效应晶体管
    • 超级结MOSFET模块

通过应用程序:

  • IGBT
    • 联合包裹
    • 风力涡轮机
    • 光伏逆变器
    • 铁路牵引
    • 使用者应用程序
    • 电动汽车/戊肝病毒
  • SJMOSFET
    • 联合包裹
    • 风力涡轮机
    • 光伏逆变器
    • 铁路牵引
    • 使用者应用程序
    • 电动汽车/戊肝病毒
    • 马达驱动器
    • 工业应用
    • 转换器/适配器/充电器
    • 照明
    • 其他(服务器、网络设备等)

按地区:

  • 北美
  • 欧洲
  • 亚太地区
  • 拉丁美洲
  • 中东和非洲

——公司在本报告覆盖

  • 英飞凌科技公司
  • 威世半导体有限公司
  • 三菱电机公司
  • 意法半导体喷嘴速度
  • 富士电气有限公司
  • 东芝公司
  • 日立电力半导体器件有限公司
  • Onsemi
  • Semikron Elektronik GmbH & Co .公斤
  • ABB公司。

——常见问题

全球IGBT和超级结MOSFET市场规模估计范围40亿美元在2023年。

全球IGBT和超级结MOSFET行业预计将193亿美元到2033年。

超级结型场效应晶体管IGBT和产业扩张21.0%的复合年增长率在过去的4年。

全球IGBT和超级结MOSFET的CAGR预计将增长的需求17.2%在2023年和2033年之间。

IGBT预计将在2023年获得一个重要的价值分享。

UPS和风力涡轮机应用程序段将为生产商创造有利可图的机会。

美国IGBT和超级结MOSFET市场范围54亿美元到2033年。

英飞凌科技公司,威世半导体公司,三菱电机公司,意法半导体喷嘴速度富士电气有限公司,东芝公司,日立电力半导体器件有限公司Onsemi, Semikron Elektronik GmbH & Co . KG, ABB公司关键市场IGBT和超级结MOSFET的公司。

预计估值69.72亿美元、北美将继续主导着全球市场。

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